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申请/专利权人：山东晶镓半导体有限公司
摘要：本发明提供一种HVPE生长设备及方法，包括金属镓供应系统、中间产物供应系统和晶体生长系统，金属镓供应系统包括金属架存储罐，所述金属镓存储罐通过金属镓传输管道连接有两个以上的镓舟，中间产物供应系统包括初始反应物存储罐，所述初始反应物存储罐通过初始反应物传输管道连接有两个以上的低温反应腔室，所述低温反应腔室的出口连接有中间产物管道，所述晶体生长系统包括高温反应腔室、籽晶组件和进气管，所述高温反应腔室的第一入口与中间产物管道连接。本发明将低温反应腔室与高温反应腔室分开设置，消除了高温反应腔室的影响，并在此基础上，设置有多个低温反应腔室、多个镓舟，为一备一用提供基础，通过外设镓源存储装置不间断生产。
主权项：1.一种HVPE生长设备，其特征在于，包括金属镓供应系统、中间产物供应系统和晶体生长系统；所述金属镓供应系统包括存放有金属镓7的金属镓存储罐1，所述金属镓存储罐1通过金属镓传输管道2连接有两个以上的镓舟，所述金属镓传输管道2设有允许或阻止金属镓7进入镓舟的第一阀门组；所述中间产物供应系统包括存放有初始反应物的初始反应物存储罐，所述初始反应物存储罐通过初始反应物传输管道连接有两个以上的低温反应腔室，所述镓舟设于所述低温反应腔室内，所述初始反应物传输管道设有允许或者阻止初始反应物进入所述低温反应腔室的第二阀门组，所述低温反应腔室内初始反应物与金属镓7反应生成中间产物，所述低温反应腔室的出口连接有中间产物管道，所述中间产物自所述中间产物管道排出；所述晶体生长系统包括高温反应腔室23，所述高温反应腔室23内安装有籽晶组件，所述高温反应腔室23的第一入口与所述中间产物管道连接，所述高温反应腔室23的第二入口连接有供中间气体进入的进气管25，所述高温反应腔室23内中间产物与中间气体反应生成最终产物。
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权利要求：
百度查询： 山东晶镓半导体有限公司 一种HVPE生长设备及方法
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