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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供了一种闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法，应用于半导体制造技术领域。在本发明中，其在不增大闪存存储器版图的端头区的面积的基础上，通过在每一所述端头区内的第二浮栅图形的下方添加两个第二有源区图形的方式，增大端头区中有源区的图形密度，优化有源阵列区最边缘有源区的制作工艺环境，进而避免由于端头区中的有源区密度小于有源阵列区中的有源区密度造成的端头区中的最边缘的STI的倾斜角度比较大、端头区中的器件隔离结构，如STI的顶面低于有源阵列区中的STI的顶面、以及在后续进行的浮栅多晶硅的刻蚀过程中浮栅制作工艺的稳定性和一致性遭到破坏、字线与有源区之间发生尖端放电以及降低阈值电压的问题。
主权项：1.一种闪存存储器版图，包括多组有源阵列区及位于相邻所述有源阵列区之间的端头区，其特征在于，所述闪存存储器版图包括：第一有源区版图层，包括位于每个所述有源阵列区和每个端头区内的多个沿第一方向间隔设置且沿第二方向延伸的第一有源区图形；第二有源区版图层，包括位于每个所述端头区内的多个沿所述第一方向相互间隔且沿所述第二方向延伸的第二有源区图形；第一浮栅版图层，位于所述第一有源区版图层和所述第二有源区版图层上，并包括横跨所述有源阵列区和所述端头区的多个沿所述第二方向间隔设置且沿所述第一方向延伸的第一浮栅图形；第二浮栅版图层，位于所述端头区内的所述第二有源区版图层上，并包括多个沿所述第二方向延伸的第二浮栅图形；控制栅接触孔版图层，位于每列所述端头区内，并包括位于所述第一浮栅图形两侧的多个沿所述第二方向间隔设置的控制栅接触孔图形；字线版图层，位于所述第一浮栅图形上，并包括多个沿所述第二方向间隔设置且沿所述第一方向延伸的字线图形，且每个所述第一浮栅图形上对应设置有一横跨所述有源阵列区和所述端头区的所述字线图形。
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百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 华虹半导体(无锡)有限公司 闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法
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