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申请/专利权人：智新半导体有限公司
摘要：本申请涉及一种适用于高压大功率的整片晶圆及其制造方法，由于在晶圆制造的工序阶段，在原本源极焊盘的金属化层上加厚一层金属，从而使得在面对热量急剧累积导致芯片内部的物理结构发生变化的情况下金属化层不会损坏；同时由于采取的本申请的加厚方式，是在原本工艺制造的成品基础上新增的工艺步骤，不会对原本的晶圆制造工艺造成影响；本工艺步骤简单，投入成本低；使得晶圆制造的原本不适用高压大功率的芯片，可以在加厚之后进行适用，即通过本制造方法对原本的生产线增加制造新产品的功能。
主权项：1.一种适用于高压大功率的整片晶圆的制造方法，其特征在于，其包括：在整片晶圆的每个源极焊盘上设置一导电连接结构1；在每个源极焊盘的导电连接结构上设置一金属加厚结构2；第一次压合源极焊盘、导电连接结构1和金属加厚结构2，完成初次连接；在完成初次连接后，在设定温度下进行第二次压合源极焊盘、导电连接结构1和金属加厚结构2，以烧结形成适用于高压大功率的整片晶圆。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 智新半导体有限公司 一种适用于高压大功率的整片晶圆及其制造方法
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