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申请/专利权人:西安电子科技大学
摘要:本发明公开了一种提高GaN器件栅可靠性的栅极反向串联二极管GaN器件、驱动电路,该器件中稳压二极管的阳极与GaN器件的栅极连接,通过将稳压二极管反向串联在GaN器件的栅极,器件开通时所需的驱动电压会先经过稳压二极管,将稳压二极管击穿打通,然后再达到GaN器件的栅极,从而使栅击穿电压在原来的基础上有所提升。此外,包含上述栅极反向串联二极管GaN器件的驱动电路,通过缓解GaN器件的栅压振荡,提高了GaN的栅极可靠性。
主权项:1.一种提高GaN器件栅可靠性的栅极反向串联二极管GaN器件,其特征在于,包括:GaN器件和稳压二极管,其中,所述稳压二极管的阳极与所述GaN器件的栅极连接。
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