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一种基于ε相氧化镓薄膜的SAW滤波器及其制备方法 

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申请/专利权人:中山大学

摘要:本发明公开了一种基于ε相氧化镓薄膜的SAW滤波器及其制备方法,涉及半导体技术,针对现有技术中强依赖于光刻精度控制指宽的问题提出本方案。在所述并联谐振器或串联谐振器上方还铺设有一覆盖层,所述覆盖层的声速大于压电薄膜的声速;所述覆盖层用于根据压电薄膜厚度h与声波波长λ的比值调制SAW复合声速。优点在于:利用衬底和覆盖层互相配合把串联或并联谐振器设计不同结构,再结合覆盖层的声速耦合结合质量负载效应可有效调整谐振频率。从而不需要刻意引入串联谐振器和并联谐振器的指宽差也能实现相应的频率匹配要求,不再依赖高精度的光刻识别,大大降低了工艺难度,提高了工艺调控手段。

主权项:1.一种基于ε相氧化镓薄膜的SAW滤波器,其特征在于,包括层叠设置的压电薄膜102和衬底101;在所述压电薄膜102远离衬底101的端面设有两对互相独立的叉指电极103;其中一对叉指电极103与压电薄膜102对应区域组合成为串联谐振器105,另一对叉指电极103与压电薄膜102对应区域组合成为并联谐振器106;其特征在于,在所述并联谐振器106或串联谐振器105上方还铺设有一覆盖层113,所述覆盖层113的声速大于压电薄膜102的声速;所述覆盖层113用于根据压电薄膜102厚度h与声波波长λ的比值调制SAW复合声速。

全文数据:

权利要求:

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