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申请/专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
摘要：本申请提供了一种SAW器件结构，包括依次层叠设置的衬底、支撑结构层、单晶压电层以及叉指换能器，支撑结构层包括至少一个周期结构，每个周期结构包括至少一个周期，每个周期包括依次层叠设置的第一周期层和第二周期层，第一周期层的材料为AlScN，第一周期层位于第二周期层远离衬底的一侧。本申请SAW器件结构在单晶压电层和衬底之间设计支撑结构层，一方面可以释放单晶压电层和衬底晶格失配产生的应力，避免单晶压电层破裂，另一方面可以起声波反射作用，当单晶压电层中的声波传输至支撑结构层时，声波被反射回单晶压电层内，减少了声波的能量损失。
主权项：1.一种SAW器件结构，其特征在于，包括：依次层叠设置的衬底1、支撑结构层2、单晶压电层3以及叉指换能器4；其中，所述支撑结构层2包括至少一个周期结构，每个所述周期结构包括至少一个周期，每个所述周期包括依次层叠设置的第一周期层21和第二周期层22，所述第一周期层21的材料为AlScN，所述第一周期层21位于所述第二周期层22远离所述衬底1的一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州晶湛半导体有限公司 一种SAW器件结构
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