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申请/专利权人:合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要:本发明提供了一种半导体器件版图结构,包括:半导体衬底、第一P型阱区和两个N型阱区,第一P型阱区位于半导体衬底中,两个N型阱区均位于半导体衬底中,两个N型阱区对称设置于第一P型阱区的两侧,且每个N型阱区均包括第一N型子阱区和两个第二N型子阱区,每个N型阱区中的两个第二N型子阱区分别与第一N型子阱区靠近第一P型阱区一侧的两端部连接,且第二N型子阱区与第一P型阱区连接。本发明能够防止半导体器件工作在饱和区时出现基区扩展效应,从而提高半导体器件的稳定性。
主权项:1.一种半导体器件版图结构,其特征在于,包括:半导体衬底;第一P型阱区,位于所述半导体衬底中,所述第一P型阱区包括第一P型子阱区和两个第二P型子阱区,沿所述第一P型子阱区的长度方向,两个所述第二P型子阱区分别与所述第一P型子阱区的两端连接,沿所述第一P型子阱区的宽度方向,两个所述第二P型子阱区的宽度均大于所述第一P型子阱区的宽度;两个N型阱区,均位于所述半导体衬底中,两个所述N型阱区对称设置于所述第一P型阱区的两侧,且每个所述N型阱区均包括第一N型子阱区和两个第二N型子阱区,每个所述N型阱区中的两个所述第二N型子阱区分别与所述第一N型子阱区靠近所述第一P型阱区一侧的两端部连接,且每个所述第二N型子阱区均与所述第二P型子阱区连接。
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百度查询: 合肥晶合集成电路股份有限公司 半导体器件版图结构
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