龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种具有自旋极化空穴层的氮化镓基半导体激光元件，从下至上依次包括：衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、上限制层和自旋极化空穴层；其中，所述自旋极化空穴层位于所述上波导层和所述上限制层之间；其中，所述自旋极化空穴层的电子有效质量分布具有函数exsinx曲线分布；以及所述自旋极化空穴层的自发极化系数分布具有函数y＝ex‑cosx曲线分布。本发明通过自旋极化空穴层改变极化场调控自旋波共振模式，使导带和价带完全自旋极化，降低价带态密度并增加跃迁几率，降低阈值电流密度，提升激光元件的光功率。
主权项：1.一种具有自旋极化空穴层的氮化镓基半导体激光元件，其特征在于，从下至上依次包括：衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、上限制层和自旋极化空穴层；其中，所述自旋极化空穴层位于所述上波导层和所述上限制层之间；其中，所述自旋极化空穴层的电子有效质量分布具有函数y＝exsinx曲线分布；以及所述自旋极化空穴层的自发极化系数分布具有函数y＝ex-cosx曲线分布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种具有自旋极化空穴层的氮化镓基半导体激光元件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号