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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要：本发明涉及使用宽带隙半导体材料形成的场效应晶体管，提供用于场效应晶体管的结构和形成这种结构的方法。该结构包括半导体衬底，该半导体衬底包括顶表面、邻近该顶表面的掺杂区域以及延伸穿过该掺杂区域的沟槽。该半导体衬底包括宽带隙半导体材料。该结构还包括栅极结构，该栅极结构包括栅极导体层。该栅极导体层具有设置在该半导体衬底的该顶表面之上的第一部分和设置在该半导体衬底的该顶表面之下的该沟槽内的第二部分。
主权项：1.一种用于场效应晶体管的结构，其特征在于，该结构包括：半导体衬底，包括顶表面、邻近该顶表面的掺杂区域、以及延伸穿过该掺杂区域的沟槽，该半导体衬底包括宽带隙半导体材料；以及栅极结构，包括栅极导体层，该栅极导体层具有设置在该半导体衬底的该顶表面之上的第一部分和设置在该半导体衬底的该顶表面之下的该沟槽内部的第二部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 使用宽带隙半导体材料形成的场效应晶体管
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