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申请/专利权人：株式会社电装
摘要：本发明涉及晶片制造方法。从锭2得到晶片的晶片制造方法包含以下的步骤、工序或者处理。通过对锭的高度方向上的一端侧的表面21照射具有透过性的激光束，从而在距离表面与晶片的厚度对应的深度形成剥离层25。此时，以小面区域RF的照射频率比非小面区域RN的照射频率高的方式照射激光束。在剥离层从锭剥离锭的表面与剥离层之间的部分亦即晶片前驱体26。以电化学和机械的方式将通过从锭剥离晶片前驱体得到的板状的剥离体的主面平坦化，得到晶片。
主权项：1.一种晶片制造方法，是从锭2得到晶片1的晶片制造方法，包含：剥离层形成工序，通过对上述锭的高度方向上的一端侧的表面21照射具有透过性的激光束，从而在距离上述表面与上述晶片的厚度对应的深度形成剥离层25；晶片剥离工序，在上述剥离层从上述锭剥离晶片前驱体26，其中，上述晶片前驱体是上述表面与上述剥离层之间的部分；以及晶片平坦化工序，将通过上述晶片剥离工序得到的板状的剥离体30的主面32平坦化，上述剥离层形成工序以小面区域RF的照射频率比非小面区域RN的照射频率高的方式向上述表面照射上述激光束。
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