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申请/专利权人：中晶新源(上海)半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种改善屏蔽栅功率半导体器件IPO的工艺方法，包括提供一外延层，形成阻挡层；形成沟槽；形成场氧化层；形成屏蔽栅多晶硅；形成光刻胶阻挡层；蚀刻所述场氧化层；去除所述光刻胶阻挡层；在所述屏蔽栅多晶硅上方形成隔离氧化层，同时蚀刻去除所述阻挡层；沉积多晶硅并回刻，形成栅极多晶硅；进行离子注入，形成所述屏蔽栅功率半导体器件。本发明通过在沉积多晶硅并回刻形成屏蔽栅多晶硅之后，在屏蔽栅多晶硅的蚀刻区域填充光刻胶，使得在蚀刻场氧化层时，阻挡了对屏蔽栅多晶硅两侧的场氧化层的蚀刻，避免了场氧化层出现侧掏现象，同时还能够减少了深宽比的比值，大大改善了IPO的样貌。
主权项：1.一种改善屏蔽栅功率半导体器件IPO的工艺方法，其特征在于，包括：提供一外延层，在所述外延层上形成阻挡层；在所述外延层和阻挡层上进行蚀刻，形成沟槽；在所述沟槽的内部形成场氧化层；在所述沟槽的内部沉积多晶硅并回刻，形成屏蔽栅多晶硅；填充光刻胶并将位于所述阻挡层上方的光刻胶进行曝光去除，形成光刻胶阻挡层；蚀刻所述场氧化层；去除所述光刻胶阻挡层；在所述屏蔽栅多晶硅上方形成隔离氧化层，同时蚀刻去除所述阻挡层；沉积多晶硅并回刻，形成栅极多晶硅；进行离子注入，形成所述屏蔽栅功率半导体器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中晶新源(上海)半导体有限公司 一种改善屏蔽栅功率半导体器件IPO的工艺方法
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