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申请/专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶圆抛光用的抛光液及其制备方法与抛光方法，所述抛光液包括如下组分：氧化剂、分散剂、第一磨料、第二磨料、pH调节剂和溶剂；所述第一磨料为青蒿素晶体；所述第二磨料包括二氧化铈、二氧化钛或二氧化硅中的任意一种或至少两种的组合。采用第一磨料与第二磨料相结合的方式兼顾了抛光液对SiC晶圆的抛光效率和抛光效果。采用紫外光催化辅助的化学机械抛光，简化了传统抛光工艺粗抛+精抛的抛光模式，缩短了抛光工艺步骤，提高了抛光效率。
主权项：1.一种碳化硅晶圆抛光用的抛光液，其特征在于，所述抛光液包括如下组分：氧化剂、分散剂、第一磨料、第二磨料、pH调节剂和溶剂；所述第一磨料为青蒿素晶体；所述第二磨料包括二氧化铈、二氧化钛或二氧化硅中的任意一种或至少两种的组合；所述第一磨料的质量百分含量为0-2wt%，且不包括0；所述第二磨料的质量百分含量为0-2wt%，且不包括0；所述第一磨料与所述第二磨料的质量百分含量比k为0.6≤k＜1.6；所述第一磨料的平均粒径＞所述第二磨料的平均粒径；所述第一磨料的平均粒径为30-100nm；所述第二磨料的平均粒径为20-60nm；所述氧化剂包括高锰酸钾或双氧水；所述氧化剂的质量百分含量为1-6wt%；所述分散剂包括聚丙烯酸钠；所述分散剂的质量百分含量为0.3-2.5wt%。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司 一种碳化硅晶圆抛光用的抛光液及其制备方法与抛光方法
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