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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供一种深沟槽隔离结构的形成方法和图像传感器的制造方法，先执行第一刻蚀工艺在第一介质层内形成开口，再多次交替执行钝化工艺和第二刻蚀工艺以在所述外延层内形成深沟槽，所述深沟槽靠近开口一侧的宽度小于深沟槽远离开口一侧的宽度，然后采用原子层沉积工艺形成第二介质层，所述第二介质层沉积在开口时封闭开口，所述开口上方的第二介质层的厚度与所述第一介质层上的第二介质层的厚度差在误差范围内。本发明无需采用化学机械研磨工艺，解决了化学机械研磨工艺所导致的像素区域的缺陷与杂质的问题。
主权项：1.一种深沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上依次形成有外延层和第一介质层；执行第一刻蚀工艺以形成开口，所述开口贯穿所述第一介质层并暴露所述外延层；多次交替执行钝化工艺和第二刻蚀工艺以刻蚀所述外延层形成深沟槽，所述深沟槽自所述开口向所述外延层内延伸，所述深沟槽靠近所述开口一侧的宽度小于所述深沟槽远离所述开口一侧的宽度；执行原子层沉积工艺以形成第二介质层，所述第二介质层沉积在所述开口位置时封闭所述开口以形成深沟槽隔离结构，所述开口的宽度使得所述第一介质层上的第二介质层和所述深沟槽隔离结构上方的第二介质层的厚度差值在预定误差范围内，其中，所述开口的宽度为40nm~80nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 深沟槽隔离结构的形成方法和图像传感器的制造方法
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