首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

一种降低声表面波气体传感器中半导体类敏感膜工作温度的方法 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:华南理工大学

摘要:本发明属于声表面波气体传感器的技术领域,公开了一种降低声表面波气体传感器中半导体类敏感膜工作温度的方法。方法:1将压电材料与半导体敏感材料进行复合,获得复合颗粒;2将复合颗粒在分散剂中进行分散,获得分散液;将分散液涂覆于声表面波气体传感器中传输路径上,形成敏感膜;所述敏感膜在声表面波经过时产生表面电场,该电场为半导体敏感材料提供气体反应所需能量,从而降低半导体敏感材料所形成的薄膜的工作温度。本发明的方法利用压电材料压电效应转变的电场提供半导体敏感膜与被测气体反应时所需的能量,以替代升温提供的能量,降低了半导体敏感媒介的工作温度,有利于简化器件结构、降低成本、减轻环境负担。

主权项:1.一种降低声表面波气体传感器中半导体类敏感膜工作温度的方法,其特征在于,包括以下步骤:1将压电材料与半导体敏感材料进行复合,获得复合颗粒;所述复合颗粒是以压电材料为内核,半导体敏感材料为外壳的复合颗粒或者压电材料与半导体敏感材料混合均匀得到的复合颗粒;2将复合颗粒在分散剂中进行分散,获得分散液;将分散液涂覆于声表面波气体传感器中传输路径上,形成敏感膜;所述敏感膜在声表面波经过时产生表面电场,该电场为半导体敏感材料提供气体反应所需能量,从而降低半导体敏感材料所形成的薄膜的工作温度;步骤1中所述压电材料与半导体敏感材料的摩尔比为0.1~1:1;所述压电材料为BaTiO3、ZnO、LiNbO3、LiTbO3、PZT中一种以上;所述半导体敏感材料为SnO2、SnS2、WO3、TiO2、In2O3中一种以上。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华南理工大学 一种降低声表面波气体传感器中半导体类敏感膜工作温度的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。