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申请/专利权人：HPSP有限公司
摘要：本发明提供一种高压工艺及真空工艺并用型晶片处理装置及利用减压的晶片处理方法，其中，所述晶片处理装置，包括：工艺腔室，具备用于处理晶片的处理室；供气模块，用于向所述处理室供给处理气体，使所述处理室达到高于大气压的高压状态；排气模块，从所述处理室排出所述处理气体，使所述处理室达到常压状态；进气模块，从所述处理室吸入所述处理气体的残留气体，使所述处理室达到真空状态；以及控制模块，用于控制所述供气模块、所述排气模块、及所述进气模块，使得在从所述高压状态经过所述常压状态达到所述真空状态的压力变动下进行对所述晶片的所述处理。
主权项：1.一种利用减压的晶片处理方法，其中，包括：向处理室供给处理气体，使所述处理室处于高于大气压的高压状态，从而使配置在所述处理室的晶片暴露在所述高压状态的步骤；从所述处理室排放所述处理气体，使所述处理室转换为常压状态，从而使所述晶片暴露在从所述高压状态到所述常压状态的减压的步骤；以及从所述处理室吸入所述处理气体的残留气体，使所述处理室转换为真空状态，从而使所述晶片暴露在从所述常压状态到所述真空状态的减压的步骤。
全文数据：
权利要求：
百度查询： HPSP有限公司 高压工艺及真空工艺并用型晶片处理装置以及利用减压的晶片处理方法
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