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申请/专利权人：深圳市铂科新材料股份有限公司;惠州铂科实业有限公司
摘要：本发明属于碳化硅技术领域，公开了一种碳化硅连续长晶设备及碳化硅连续长晶的方法，碳化硅连续长晶设备包括固定轴、旋转升降机构、合成室、长晶室、热处理室、真空系统和调温系统。真空系统和调温系统为每一道工序提供所需要的压强和温度。在第一方向上，热处理室、长晶室和合成室依次设置，可实现单一设备即可完成碳化硅晶体生长的三道工序，节省占地面积以及加工成本。合成室能与长晶室连通；长晶室能与热处理室连通，坩埚能通过旋转升降机构进入每一道工序的腔室内，使得每一道工序形成的半成品能连续地进入下一道工序，简化了加工过程，节省人力，提高生产效率。
主权项：1.一种碳化硅连续长晶设备，其特征在于，所述碳化硅连续长晶设备包括：固定轴47；合成室1，所述合成室1设置于所述固定轴47；长晶室2，所述长晶室2设置于所述固定轴47；热处理室3，所述热处理室3设置于所述固定轴47，所述合成室1、所述长晶室2和所述热处理室3中至少一个转动设置于所述固定轴47；在第一方向Z上，所述热处理室3、所述长晶室2和所述合成室1依次设置，所述合成室1能与所述长晶室2连通；所述长晶室2能与所述热处理室3连通；旋转升降机构4，所述旋转升降机构4被配置为能带动坩埚1000沿所述第一方向Z移动于所述合成室1、所述长晶室2和所述热处理室3；真空系统5，所述真空系统5用于调节所述合成室1、所述热处理室3和所述长晶室2内的气体压强；调温系统6，所述调温系统6用于调节所述合成室1、所述热处理室3和所述长晶室2内的温度。
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