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申请/专利权人：珠海多创科技有限公司
摘要：本发明属于磁传感器技术领域，公开一种用于对磁阻元件施加大磁场的方法、磁阻元件及其制备方法；该用于对磁阻元件施加大磁场的方法包括在基板上制造磁阻元件；在基板上沉积软磁元件，使至少一磁阻子元件中各磁阻子元件靠近软磁元件的边缘位置；对基板施加第一磁场，使至少一磁阻子元件中各磁阻子元件的周围具有第二磁场；第一磁场及第二磁场的磁场方向平行于所述基板，第二磁场的磁场强度大于第一磁场的磁场强度。本发明通过在磁阻元件的侧边沉积软磁元件，使得软磁元件相邻的磁阻元件周围磁场的磁场强度获得加大，降低磁场产生设备所提供磁场的要求，进而降低磁阻元件的制备难度及易于工业化实现。
主权项：1.一种用于对磁阻元件施加大磁场的方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上制造磁阻元件；在所述基板上沉积软磁元件，使所述磁阻元件中至少一磁阻子元件靠近所述软磁元件的边缘位置；对所述基板施加第一磁场，使所述至少一磁阻子元件中各磁阻子元件的周围具有第二磁场；所述第一磁场及所述第二磁场的磁场方向平行于所述基板，所述第二磁场的磁场强度大于所述第一磁场的磁场强度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海多创科技有限公司 一种用于对磁阻元件施加大磁场的方法、磁阻元件及其制备方法
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