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申请/专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种提高碳化硅衬底质量的处理方法及装置，属于半导体材料清洁技术领域。该装置包括：上壳体和下壳体，所述碳化硅衬底放置在所述上壳体和下壳体中间，以使得所述碳化硅衬底分别与所述上壳体和下壳体之间形成密闭的第一气源腔和第二气源腔；所述第一气源腔内设置第一进气口和第一出气口，所述第二气源腔内设置第二进气口和第二出气口，清洁气体分别进入至第一气源腔和第二气源腔缓冲后流动至碳化硅衬底的上表面和下表面，并分别自所述第一出气口和第二出气口流出。使用该装置对碳化硅衬底进行清洁，能够提高碳化硅衬底C面和Si面的表面一致性，进而提高外延质量。
主权项：1.一种提高碳化硅衬底质量的处理装置，其特征在于，包括：上壳体和下壳体，所述碳化硅衬底放置在所述上壳体和下壳体中间，以使得所述碳化硅衬底分别与所述上壳体和下壳体之间形成密闭的第一气源腔和第二气源腔；所述第一气源腔内设置第一进气口和第一出气口，所述第二气源腔内设置第二进气口和第二出气口，清洁气体分别进入至第一气源腔和第二气源腔缓冲后流动至碳化硅衬底的上表面和下表面，并分别自所述第一出气口和第二出气口流出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东天岳先进科技股份有限公司 一种提高碳化硅衬底质量的处理方法及装置
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