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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供了半导体器件制作方法，其用于制作多层堆叠的晶体管结构，在每一层晶体管结构制作过程中，栅极结构至少包围有源区的顶面及其沿第一方向两侧侧壁，在有源区沿第二方向的两侧进行外延生长以得到源极和漏极，在半导体衬底上制作层间介质层及位于层间介质层上的布线层，布线层包括分别位于栅极结构、源极和漏极上并进行电连接的连接线，连接线具有向外侧延伸的延伸线，以在制作完成多层堆叠的晶体管结构之后，在延伸线上方制作与其电连接的导电插塞。在当前层晶体管结构制作完成之后，并在下层晶体管结构制作之前，在当前层晶体管结构上制作层间隔离层。本实施方式通过将该半导体器件分层制备，并从而实现同等面积晶体管密度的大幅提高。
主权项：1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，应用于制作多层堆叠的晶体管结构，每一层晶体管结构的制作方法包括如下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极结构及有源区，所述栅极结构至少包围所述有源区的顶面及其沿第一方向的两侧侧壁；在所述有源区沿第二方向的两侧进行外延生长以得到源极和漏极，所述第二方向与第一方向垂直；在所述半导体衬底上制作层间介质层及位于所述层间介质层上的布线层，所述布线层包括分别位于所述栅极结构、源极和漏极上并进行电连接的连接线，所述连接线具有向外侧延伸的延伸线，以在制作完成所述多层堆叠的晶体管结构之后，在所述延伸线上方制作与其电连接的导电插塞；在当前层晶体管结构制作完成之后，并在下层晶体管结构制作之前，在所述当前层晶体管结构上制作层间隔离层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体器件及其制作方法
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