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申请/专利权人：广东致能科技有限公司
摘要：本公开内容提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括多个空穴沟道的III族氮化物器件和多个电子沟道的III族氮化物器件。其中所述空穴沟道的III族氮化物器件与所述电子沟道的III族氮化物器件对应设置。所述电子沟道的III族氮化物器件具有鳍状沟道，且可同时在所述化合物半导体层和所述氮化物半导体层的界面处形成二维空穴气和或二维电子气。本公开内容提供具有工艺简单、成本低廉、在单位面积上实现更高的沟道密度，具有高耐受电压、高功率和低导通电阻等高性能、安全、节能的常闭型电子和或空穴沟道III族氮化物晶体管。
主权项：1.一种鳍状电子沟道半导体器件的制造方法，包括：提供一衬底，在其上表面刻蚀出阶梯状结构，所述阶梯状结构具有大致平行的第一平面和第二平面，以及分别连接第一平面和第二平面的第三表面，且所述第三表面的晶格具有六角对称性；从所述第三表面处为核心，受所述第二平面的限制，垂直所述第二平面向上侧向外延生长鳍状的氮化物半导体层；在所述氮化物半导体层上形成第一化合物半导体层130，从而同时在所述第一化合物半导体层130和所述氮化物半导体层的界面处形成二维空穴气及不可移动的背景负电荷；和或，在所述第一化合物半导体层130和所述氮化物半导体层的界面处形成二维电子气及不可移动的背景正电荷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东致能科技有限公司 一种鳍状半导体器件、制造方法及其应用
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