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申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司
摘要:本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括:提供衬底,于衬底内形成多个第一半导体柱;相邻第一半导体柱之间具有间隔;于间隔的底部形成第一隔离结构;形成随形覆盖第一隔离结构及第一半导体柱裸露侧壁的栅氧化层;形成随形覆盖栅氧化层的字线材料层;回刻字线材料层,形成分别沿第一方向延伸的多条第一字线。该半导体结构的制备方法可以用于形成集成密度较高的存储器件。
主权项:1.一种半导体结构的制备方法,其特征在于,包括:提供衬底,于所述衬底内形成多个第一半导体柱;相邻所述第一半导体柱之间具有间隔;于所述间隔的底部形成第一隔离结构;形成随形覆盖所述第一隔离结构及所述第一半导体柱裸露侧壁的栅氧化层;形成随形覆盖所述栅氧化层的字线材料层;回刻所述字线材料层,形成分别沿第一方向延伸的多条第一字线。
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百度查询: 长鑫存储技术有限公司 半导体结构结构及其制备方法
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