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申请/专利权人：中芯北方集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述方半导体结构包括：基底，所述基底表面依次形成有第一介质层、第二介质层和第三介质层；第一金属层，位于所述第一介质层、第二介质层和第三介质层中，所述第一金属层包括块状部、环绕所述块状部的框形部，所述块状部和所述框形部通过若干连通部连通；第四介质层和第五介质层，依次位于所述第三介质层和所述第一金属层表面，所述第四介质层和所述第三介质层的材料相同；金属连线结构，位于所述第四介质层和第五介质层中且电连接所述第一金属层。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述第四介质层和所述第三介质层的材料相同，可以避免通孔结构发生分层现象，提高器件可靠性。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面依次形成有第一介质层、第二介质层和第三介质层；在所述第一介质层、第二介质层和第三介质层中形成第一沟槽，所述第一沟槽包括块状槽、环绕所述块状槽的框形槽，所述块状槽和所述框形槽通过若干连通槽连通；在所述第一沟槽中形成第一金属层，所述第一金属层包括分别填充所述块状槽、框形槽和若干连通槽的块状部、框形部和若干连通部；在所述第三介质层和所述第一金属层表面依次形成第四介质层和第五介质层，所述第四介质层和所述第三介质层的材料相同；在所述第四介质层和第五介质层中形成电连接所述第一金属层的金属连线结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯北方集成电路制造(北京)有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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