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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：本发明提供一种键合晶圆的减薄方法，包括：提供第一晶圆，第一晶圆包括相对的第一面和第二面；提供第二晶圆，第二晶圆包括相对的第三面和第四面，将第二面与第四面进行键合形成键合晶圆，键合晶圆包括器件区和环绕器件区的边缘区；对键合晶圆进行第一次减薄处理；在第一次减薄处理之后，在第一面的边缘区内形成环绕器件区的凹槽；采用修边工艺沿着凹槽切除边缘区；阻隔了在修边过程中键合晶圆之间的裂纹向器件区延伸，保证了器件区的完整性，同时减少修边过程中有效芯片的损伤，大大提升了修边的效率以及产品的良率。
主权项：1.一种键合晶圆的减薄方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括相对的第一面和第二面；提供第二晶圆，所述第二晶圆包括相对的第三面和第四面，将所述第二面与所述第四面进行键合形成所述键合晶圆，所述键合晶圆包括器件区和环绕所述器件区的边缘区；对所述键合晶圆进行第一次减薄处理；在第一次减薄处理之后，在所述第一面的所述边缘区内形成环绕所述器件区的凹槽；采用修边工艺沿着所述凹槽切除所述边缘区。
全文数据：
权利要求：
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