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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种源输出放大器的制造方法及CMOS图像传感器，属于微电子制造技术领域，该源输出放大器的制造方法，包括提供衬底，所述衬底中具有多个浅槽隔离结构，且邻近的所述浅槽隔离结构之间通过所述衬底上的凸起间隔；刻蚀所述浅槽隔离结构，在所述凸起两侧分别形成沟槽；在所述沟槽中以及所述凸起的顶部布置多晶硅，以形成垂直栅。通过形成源输出放大器的垂直栅结构，使有效沟道长度和宽度变大，有效通道面积增加，从而改善噪声性能。
主权项：1.一种源输出放大器的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底中具有多个浅槽隔离结构，且邻近的所述浅槽隔离结构之间通过所述衬底上的凸起间隔；刻蚀所述浅槽隔离结构，在所述凸起两侧分别形成沟槽；在所述沟槽中以及所述凸起的顶部布置多晶硅，以形成垂直栅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 源输出放大器的制造方法及CMOS图像传感器
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