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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种减少APF层刻蚀偏差的方法，提供衬底，在衬底上形成有半导体膜层结构，在半导体膜层上形成硬掩膜层，在硬掩膜层上依次形成有自下而上依次堆叠的APF层、抗反射涂层和光刻胶层；利用光刻打开光刻胶使得部分抗反射涂层裸露，以定义出半导体膜层的刻蚀区域；刻蚀裸露的抗反射涂层至APF层裸露；利用O2和N2作为刻蚀气体，HBr作为侧壁钝化气体，刻蚀裸露的APF层至硬掩膜层裸露，在刻蚀过程中，APF层的侧壁上形成有钝化层；刻蚀裸露的硬掩膜层至半导体膜层上。本发明能够减少引入APF层的刻蚀偏差。
主权项：1.一种减少APF层刻蚀偏差的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成有半导体膜层结构，在所述半导体膜层上形成硬掩膜层，在所述硬掩膜层上依次形成有自下而上依次堆叠的APF层、抗反射涂层和光刻胶层；步骤二、利用光刻打开光刻胶使得部分所述抗反射涂层裸露，以定义出所述半导体膜层的刻蚀区域；步骤三、刻蚀裸露的所述抗反射涂层至所述APF层裸露；步骤四、利用O2和N2作为刻蚀气体，HBr作为侧壁钝化气体，刻蚀裸露的所述APF层至所述硬掩膜层裸露，在刻蚀过程中，所述APF层的侧壁上形成有钝化层；步骤五、刻蚀裸露的所述硬掩膜层至所述半导体膜层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 减少APF层刻蚀偏差的方法
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