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申请/专利权人：东科半导体(安徽)股份有限公司
摘要：本发明实施例涉及一种同步整流芯片的开通关断控制方法。以同步整流芯片的输出端K端与输入端A端之间的电压差VKA表征同步整流芯片内部MOSFET的开关电压VSW；监测A端电压与K端电压；当A端电压高于K端电压第一预设电压以上时，进行斜率检测，判定dVKAdt是否大于第一预设值；当dVKAdt大于第一预设值时，生成开通控制信号使MOSFET导通，使得芯片开通；同步整流芯片记录当前周期的关断时间，并将记录的关断时间数据保存在内部存储器中；根据存储的关断时间数据，进行统计分析并根据分析结果预测下一个周期的开通时间；在早于预测得到的下一个周期的开通时间第一设定时间的时间点控制关断同步整流芯片，使得同步整流芯片在下一周期的开通前至少保持关断第一设定时间。
主权项：1.一种同步整流芯片的开通关断控制方法，其特征在于，所述方法包括：以同步整流芯片的输出端K端与输入端A端之间的电压差VKA表征同步整流芯片内部金属氧化物半导体场效应管MOSFET的开关电压VSW；监测A端电压与K端电压；当所述A端电压高于K端电压第一预设电压以上时，进行斜率检测，判定dVKAdt是否大于第一预设值；当所述dVKAdt大于第一预设值时，生成开通控制信号使MOSFET导通，使得同步整流芯片开通；同步整流芯片记录当前周期的关断时间，并将记录的关断时间数据保存在内部存储器中；根据存储的关断时间数据，进行统计分析，并根据统计分析结果预测下一个周期的开通时间；在早于预测得到的下一个周期的开通时间第一设定时间的时间点控制关断所述同步整流芯片，使得所述同步整流芯片在下一周期的开通前至少保持关断第一设定时间。
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