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基于MOS电容的PUF电路 

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申请/专利权人:温州大学

摘要:本发明公开了一种基于MOS电容的PUF电路,包括PMOS电容网络、NMOS电容网络、电压灵敏放大器与三个传输门,将三个传输分别称为第一传输门、第二传输门与第三传输门,第一传输门用于控制PMOS电容网络是否接入电源电压VDD,第二传输门用于控制PMOS电容网络和NMOS电容网络连接或者断开,当PMOS电容网络和NMOS电容网络连接时,NMOS电容网络会产生两个输出电压,第三传输门用于控制NMOS电容网络是否接地,当NMOS电容网络接地时,其处电荷被清空;电压灵敏放大器用于在外部时钟信号控制下,根据NMOS电容网络产生的两个输出电压的偏差产生PUF输出响应;优点是电路面积开销较小、能耗较低。

主权项:1.一种基于MOS电容的PUF电路,其特征在于包括PMOS电容网络、NMOS电容网络、电压灵敏放大器与三个传输门,将三个传输分别称为第一传输门、第二传输门与第三传输门,所述的第一传输门用于控制所述的PMOS电容网络是否接入电源电压VDD,所述的第二传输门用于控制所述的PMOS电容网络和所述的NMOS电容网络连接或者断开,当所述的PMOS电容网络和所述的NMOS电容网络连接时,所述的NMOS电容网络会产生两个输出电压,所述的第三传输门用于控制所述的NMOS电容网络是否接地,当所述的NMOS电容网络接地时,其处电荷被清空;所述的电压灵敏放大器用于在外部时钟信号控制下,根据所述的NMOS电容网络产生的两个输出电压的偏差产生PUF输出响应;所述的基于MOS电容的PUF电路周期性工作,在每个周期,首先,所述的第一传输门和所述的第三传输门均导通,所述的第二传输门关断,此时所述的PMOS电容网络接入外部电源电压VDD,所述的NMOS电容网络接地,所述的PMOS电容网络和所述的NMOS电容网络断开,所述的PMOS电容电路被充电至高电平,即电源电压VDD,所述的NMOS电容网络放电至低电平VSS,即其处电荷被清空,然后,所述的第一传输门和所述的第三传输门均切换为关断,所述的第二传输门切换为导通,所述的PMOS电容网络和所述的NMOS电容网络连接,所述的PMOS电容网络对所述的NMOS电容网络进行电荷共享,使所述的NMOS电容网络产生两个输出电压Vinp与Vinm,所述的电压灵敏放大器在外部时钟信号控制下,采集所述的NMOS电容网络产生的两个输出电压Vinp与Vinm,并根据两个输出电压Vinp与Vinm的偏差产生当前周期的PUF输出响应。

全文数据:

权利要求:

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