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申请/专利权人：青岛乾程科技股份有限公司

摘要：本发明提供了一种应用在BMS中充放电MOS管失效诊断电路，包括主控芯片，用来产生控制信号和接收采样数据；充放电MOS管驱动电路，通过控制信号实现对充放电MOS管的驱动，从而实现MOS管的导通和关断过程；MOS管诊断驱动电路，独立于BMS的充放电电路，用来控制失效诊断电路的运行；充放电MOS管开关，通过充放电驱动信号实现MOS管的导通和关断；电阻分压采样电路，对电压进行采样并传输给主控芯片，通过主控芯片读取采样的电压值，从而判断充放电MOS管是否失效。本发明的诊断电路可用于特定时间或者场合下对MOS管进行失效诊断，且独立于BMS的正常充放电电路，可通过控制芯片进行切换，并不会影响BMS的正常工作，测量精度较高，电路简单，不增加BMS系统的功耗。

主权项：1.一种应用在BMS中充放电MOS管失效的诊断电路，其特征在于：包括主控芯片、充放电MOS管开关、充放电MOS管驱动电路、MOS管诊断驱动电路和电阻分压采样电路；所述充放电MOS管驱动电路的第一端连接到所述主控芯片，所述充放电MOS管驱动电路的第二端连接到所述充放电MOS管开关的第一端；所述充放电MOS管开关的第二端接地，所述充放电MOS管开关的第三端连接所述电阻分压采样电路的第一端；所述电阻分压采样电路的第二端连接到所述主控芯片；所述MOS管诊断驱动电路的第一端连接到所述主控芯片，所述MOS管诊断驱动电路的第二端连接到所述电阻分压采样电路的第三端；所述充放电MOS管驱动电路用于接收主控芯片发出的控制信号来驱动充放电MOS管开关导通或者关断；所述电阻分压采样电路用于对充放电MOS管开关在不同状态时进行电压采集，并将电压采集信号输出给所述主控芯片；所述MOS管诊断驱动电路用于接收主控芯片发出的控制信号来控制充放电MOS管失效诊断电路的开启与关断；所述主控芯片用于产生控制信号以及接收来自所述电阻分压采样电路发送的采样数据，从而进行数据分析判断充放电MOS管是否发生失效；所述充放电MOS管驱动电路包括第一驱动电阻和第二驱动电阻，所述第一驱动电阻的第二端和第二驱动电阻的第二端均连接到所述的主控芯片；所述电阻分压采样电路包括第一分压电阻、第二分压电阻和第三分压电阻，所述第一分压电阻的第二端与第二分压电阻第二端短接并作为电压采样信号输出到控制芯片，所述第三分压电阻的第二端接地；所述充放电MOS管开关包括N沟道放电MOS管和N沟道充电MOS管，所述N沟道放电MOS管的漏极与N沟道充电MOS管的漏极短接并且连接所述第二分压电阻的第一端，所述N沟道充电MOS管的源极连接所述第三分压电阻的第一端，同时作为电池包的负极PACK-，所述N沟道充电MOS管的栅极连接所述第二驱动电阻的第一端，通过充电驱动信号控制N沟道充电MOS管的开关，所述N沟道放电MOS管的源极接电池的负极BAT-，即接地；所述N沟道放电MOS管的栅极接所述第一驱动电阻的第一端；所述MOS管诊断驱动电路包括一个P沟道MOS管、一个N沟道MOS管、第三驱动电阻、第四驱动电阻和第五驱动电阻，所述P沟道MOS管的栅极与N沟道MOS管的漏极短接并连接第三驱动电阻的第一端，所述P沟道MOS管的源极与第三驱动电阻的第二端短接并连接到供电电压VCC，所述P沟道MOS管的漏极连接第一分压电阻的第一端，所述N沟道MOS管的栅极与第四驱动电阻的第一端和第五驱动电阻的第一端短接，所述第四驱动电阻的第二端连接到主控芯片，所述第五驱动电阻的第二端接地。

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