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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明涉及一种亚表面无损伤氮化镓晶片的加工工艺，本发明采用粗磨、细磨、粗抛、精抛、电感耦合等离子体反应离子刻蚀处理，提高了抛光效率，将单晶片的加工时间大大缩短，能够实现单晶片完全无损伤化，得到的氮化镓单晶片亚表面无损伤，并且透过率大大提高。
主权项：1.一种亚表面无损伤氮化镓晶片的加工工艺，包括步骤如下：1）经多线切割机切割后的氮化镓单晶片使用粗磨盘进行初步研磨，去除氮化镓单晶片表面的切割痕；2）粗磨后使用精磨盘配合钻石液进行细磨，去除粗磨损伤；3）使用粗抛盘配合钻石液进行粗抛，初步浅化步骤2）的深划痕，使单晶表面的划痕深度整体一致，提高后续的抛光效率；4）使用精抛盘配合抛光液进行精抛，消除单晶表面残留的划痕，精抛盘为粘有聚氨酯材质抛光垫的磨盘；抛光液包括：磨料、分散剂、氧化剂、pH调节剂和去离子水，抛光液中磨料质量百分比为0.5%-2%，分散剂质量百分比为0.5%-2%，氧化剂摩尔浓度为0.1-0.5M，pH调节剂用量使抛光液pH为1-3；所述磨料为30-300nm氧化铝纳米粉料或氧化铈纳米粉料，分散剂为有机分散剂十二烷基硫酸钠，氧化剂为高锰酸钾，pH调节剂为硝酸；5）精抛后采用电感耦合等离子体反应离子刻蚀对精抛后晶片表面进行10-30min的刻蚀，消除亚表面划痕损伤；电感耦合等离子体反应离子刻蚀压力为10mTorr，功率为100W，样品温度为25℃，置于ArBCl3气氛中；6）使用SiO2抛光液进行抛光处理，消除电感耦合等离子体反应离子刻蚀引入的表面粗糙度，进一步提高单晶表面的平坦化，获得亚表面无损伤氮化镓晶片；SiO2抛光液成分包括：SiO2浆料、过氧化氢和去离子水，SiO2抛光液中，SiO2浆料与去离子水的重量比为1:1，过氧化氢的重量为SiO2抛光液重量的3%-5%。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种亚表面无损伤氮化镓晶片的加工工艺
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