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申请/专利权人：江苏尊阳电子科技有限公司
摘要：本发明涉及嵌入式芯片封装工艺及嵌入式芯片，选用芯片框架，在线路层上安装第一芯片的裸片，并塑封；然后在芯片框架的背面进行蚀刻，并将金属基板蚀刻出嵌装区，在其中装入第二芯片，进行背面塑封；最后将背面塑封层进行打磨，将金属基板背面裸露出来；切割分离形成本发明的嵌入式芯片。本发明针对改进的嵌入式封装的芯片结构，提供了一种技术路线成熟的生产工艺，能够高效率、高质量的制成嵌入式芯片，从而降低了生产成本，且提高了产品的散热效果，并提升了信号传输效率。
主权项：1.嵌入式芯片封装工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤A、金属基板正面装片和球焊：取成品芯片框架，在芯片框架的线路层的基岛区域，通过粘合剂装片，装上第一芯片，所述第一芯片为裸片；然后进行球焊制程，通过内部引线将第一芯片与外围的引脚连接在一起；步骤B、正面塑封：在芯片框架的第一芯片安装面进行第一次塑封制程，形成正面塑封层；步骤C、再贴光阻膜：在步骤B完成的产品表面再贴上曝光显影的光阻膜；步骤D、芯片框架的背面去除部分光阻膜：利用曝光显影设备将步骤C完成贴光阻膜作业的芯片框架的背面进行图形曝光、显影，去除部分图形光阻膜，以露出芯片框架的背面后续需要进行蚀刻的区域；步骤E、蚀刻：在步骤D中芯片框架的背面去除部分光阻膜的区域进行化学蚀刻，刻蚀进入芯片框架的金属基板内，直到正面表面附近，形成嵌装区；步骤F、去除光阻膜：冲洗去除光阻膜，露出芯片框架；步骤G、SMT贴元器件：在背面蚀刻区域通过SMT制程进行元器件贴装装片，即将第二芯片组装进嵌装区；步骤H、背面塑封：在蚀刻区域进行塑封，将元器件保护起来，形成背面塑封层；然后进行打磨，将芯片框架的背面金属裸露出来；步骤I、切割分离：在产品之间进行切割分离，保留需要的封装体作为成品，即为嵌入式芯片；上述步骤E的蚀刻为，先在步骤C所用的光阻膜上设计出需求形状；然后在步骤E中，采取化学蚀刻去除背面非有效区域金属层；通过药水浓度和时间参数控制蚀刻速度和深度，确保预留正面金属层可满足后面的焊接厚度要求；同时，将原本一体的金属层，通过贴膜设计蚀刻断开，形成功能输出端子的隔离。
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权利要求：
百度查询： 江苏尊阳电子科技有限公司 嵌入式芯片封装工艺及嵌入式芯片
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