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申请/专利权人：日升存储公司
摘要：各种方法和由半导体基板上方的存储器结构例如，具有NOR存储器串的三维布置的存储器阵列的有源条带形成的各种阶梯结构允许高效地电连接到有源条带内的半导体层。
主权项：1.一种制造存储器结构的过程，包括：i提供第一有源层；ii在所述第一有源层的顶部提供第一隔离层；iii在所述第一隔离层的顶部提供第二有源层，其中所述第一有源层和第二有源层各自包括1具有第一电导率的第一半导体层；2在所述第一半导体层底下具有所述第一电导率的第二半导体层；以及3在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间且将所述第一半导体层与所述第二半导体层隔离的绝缘材料的电介质层；iv在所述第二有源层的顶部提供第二隔离层；iv在所述第二隔离层之上提供光致抗蚀剂层；v处理所述光致抗蚀剂层以暴露所述第二隔离层的第一区域；vi各向异性地移除通过移除所述第二隔离层的第一区域暴露的所述第二隔离层和所述第二有源层的第一区域，以暴露所述第一隔离层的第一区域；vii使所述光致抗蚀剂层凹陷以暴露所述第二隔离层的其他区域；viii各向异性地移除a所述第一隔离层的第一区域和第二隔离区域的其他区域，和b通过移除所述第一隔离层的第一区域暴露的所述第一半导体层和通过移除所述第二隔离区域的其他区域暴露的所述第一半导体层；ix使用所述绝缘材料填充通过vi和viii的各向异性移除步骤所创建的腔体；x将步骤i至ix重复预定的次数；以及xi在预定的位置处各向异性地移除所述绝缘材料，以创建到达两个或更多个有源层的所述第二半导体层的通孔开口。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日升存储公司 用于电连接三维存储装置的多个水平导电层的阶梯结构
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