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申请/专利权人：芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司
摘要：本申请实施例涉及一种稳压二极管及其制备方法、半导体集成结构，通过将第一导电类型体区设置为包括多个子体区，各子体区间隔分布在第一导电类型阱区中；在垂直于半导体材料层所在平面的方向上，第二导电类型掺杂区的投影覆盖且超出多个子体区的外轮廓的投影；在第二导电类型掺杂区的投影超出多个子体区的外轮廓的投影的位置处以及各子体区之间间隔的位置处，第二导电类型掺杂区与第一导电类型阱区相接。如此，可以实现在不升高稳压二极管的反向漏电流的情况下增大稳压二极管的工作电流，优化了稳压二极管的性能。
主权项：1.一种稳压二极管，其特征在于，所述稳压二极管包括：半导体材料层；第一导电类型阱区，位于所述半导体材料层中；第二导电类型掺杂区，位于所述半导体材料层的表层，且位于所述第一导电类型阱区的顶部；第一导电类型体区，位于所述第一导电类型阱区中，且与所述第二导电类型掺杂区相接；其中，所述第一导电类型体区包括多个子体区，各所述子体区间隔分布在所述第一导电类型阱区中；在垂直于所述半导体材料层所在平面的方向上，所述第二导电类型掺杂区的投影覆盖且超出多个所述子体区的外轮廓的投影；在所述第二导电类型掺杂区的投影超出多个所述子体区的外轮廓的投影的位置处以及各所述子体区之间间隔的位置处，所述第二导电类型掺杂区与所述第一导电类型阱区相接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司 稳压二极管及其制备方法、半导体集成结构
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