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申请/专利权人：杭州镓仁半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种垂直布里奇曼法生长氧化镓的装置及方法，其中装置包括保温罩、加热元件、坩埚、环形冷屏、降温装置和籽晶提拉杆。保温罩具有内腔。保温罩的顶部设有冷屏通道和提拉杆通道，冷屏通道和提拉杆通道连通内腔。加热元件用于加热内腔。坩埚设置于内腔中。环形冷屏是用于隔热的环形屏障，环形冷屏穿过冷屏通道，环形冷屏向下运动时能够将坩埚罩设在内。降温装置与环形冷屏相连，用于降低环形冷屏的温度。籽晶提拉杆穿过提拉杆通道，籽晶提拉杆向下运动时能够伸入坩埚。相比于现有技术，本发明通过改变坩埚内部氧化镓熔液的温度梯度方向，实现氧化镓单晶从上向下生长，在不改变坩埚的形状的条件下，较容易的获得整块的氧化镓单晶。
主权项：1.一种垂直布里奇曼法生长氧化镓的装置，其特征在于，包括：保温罩，所述保温罩具有内腔；所述保温罩的顶部设有冷屏通道和提拉杆通道，所述冷屏通道和所述提拉杆通道连通所述内腔；加热元件，所述加热元件用于加热所述内腔；坩埚，所述坩埚设置于所述内腔中；环形冷屏，所述环形冷屏是用于隔热的环形屏障，所述环形冷屏穿过所述冷屏通道，所述环形冷屏向下运动时能够将所述坩埚罩设在内；降温装置，所述降温装置与所述环形冷屏相连，用于降低所述环形冷屏的温度；籽晶提拉杆，所述籽晶提拉杆穿过所述提拉杆通道，所述籽晶提拉杆向下运动时能够伸入所述坩埚。
全文数据：
权利要求：
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