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申请/专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
摘要：本申请提供的无机电致发光近红外LED器件及其制备方法，包括依次层叠设置的衬底1、背电极层2、p型层3、n型层4、透明导电窗口层5和表面电极层6，所述p型层3包括两种及两种以上组分，所述p型层3组分包括Cu2CdxZn1‑xSnSe4，其中0≤x1，所述p型层3各组分呈平面阵列分布，所述p型层3与所述n型层4形成pn结，上述无机电致发光近红外LED器件，将铜镉锌锡硒Cu2CdxZn1‑xSnSe4作为全新的近红外LED器件发光材料，所述发光材料组成元素在自然界广泛存在，能够降低近红外LED器件的成本，同时通过平面阵列生长多组分p型层，能够实现发光波段半高宽更宽的近红外LED器件。
主权项：1.一种无机电致发光近红外LED器件，其特征在于，包括：依次层叠设置的衬底1、背电极层2、p型层3、n型层4、透明导电窗口层5和表面电极层6，所述p型层3包括两种及两种以上组分，所述p型层3组分包括Cu2CdxZn1-xSnSe4，其中0≤x1，所述p型层3各组分呈平面阵列分布，所述p型层3与所述n型层4形成pn结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院深圳先进技术研究院 一种无机电致发光近红外LED器件、制备方法及应用
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