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申请/专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
摘要：本申请实施例提供一种半导体器件及形成方法，其中，半导体器件包括：沿第一方向延伸的位线驱动和沿第二方向延伸的字线驱动；第一方向与第二方向互相垂直；多条位线，位于字线驱动两侧，且与字线驱动平行；其中，多条位线在第一方向上间隔排布，且在第一方向上，靠近字线驱动的位线的尺寸参数小于远离字线驱动的位线的尺寸参数；多条字线，位于位线驱动两侧，且与位线驱动平行；其中，多条字线在第二方向上间隔排布，且在第二方向上，靠近位线驱动的字线的尺寸参数小于远离位线驱动的字线的尺寸参数；多个存储单元叠层，分别位于所述字线与相应的所述位线的交叉处，分别与所述字线和相应的所述位线连接。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：沿第一方向延伸的位线驱动和沿第二方向延伸的字线驱动；所述第一方向与所述第二方向互相垂直；多条位线，位于所述字线驱动两侧，且与所述字线驱动平行；其中，所述多条位线在所述第一方向上间隔排布，每个所述字线驱动与位于所述字线驱动两侧的多条位线构成一个第一单元；且在所述第一方向上，每个第一单元中靠近所述字线驱动的位线的尺寸参数小于远离所述字线驱动的位线的尺寸参数；多条字线，位于所述位线驱动两侧，且与所述位线驱动平行；其中，所述多条字线在所述第二方向上间隔排布，每个所述位线驱动与位于所述位线驱动两侧的多条字线构成一个第二单元；且在所述第二方向上，每个第二单元中靠近所述位线驱动的字线的尺寸参数小于远离所述位线驱动的字线的尺寸参数；多个存储单元叠层，分别位于所述字线与相应的所述位线的交叉处，分别与所述字线和相应的所述位线连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 半导体器件及形成方法
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