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申请/专利权人：西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学
摘要：本发明提供一种基于横向电场的AlScN氧化镓日盲探测器及其制备方法，包括衬底以及设置在衬底表面的至少一AlScNGa2O3异质结构，其中每一AlScNGa2O3异质结构包括刻蚀在衬底表面的独立的氧化镓块、沉积在氧化镓块一侧的AlScN层、沉积在氧化镓块一侧的第一金属电极以及沉积在AlScN层一侧的第二金属电极，且AlScN层同氧化镓块形成横向电场，采用横向电场的AlScNGa2O3异质结构解决纵向电场的AlScN漏电而导致的光暗电流比低的问题，同时仍然保持氧化镓异质结日盲探测器的高响应度的优点。
主权项：1.一种基于横向电场的AlScN氧化镓日盲探测器，其特征在于，包括：衬底以及设置在衬底表面的至少一AlScNGa2O3异质结构，其中每一AlScNGa2O3异质结构包括刻蚀在衬底表面的独立的氧化镓块、沉积在氧化镓块一侧的AlScN层、沉积在氧化镓块一侧的第一金属电极以及沉积在AlScN层一侧的第二金属电极，且AlScN层同氧化镓块形成横向电场。
全文数据：
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百度查询： 西安电子科技大学杭州研究院 西安电子科技大学 基于横向电场的AlScN氧化镓日盲探测器及其制备方法
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