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申请/专利权人：扬州大学
摘要：本发明公开了光学超材料技术领域内的一种基于纳米立方结构的超表面截止吸收器，包括均匀生长在方形二氧化硅衬底上的铝方台，铝方台的顶面均匀生长有金方台，金方台的顶面生长有氟化镁方锥，氟化镁方锥的顶面生长有砷化镓方环，形成装配体，多个装配体组合形成交叉阵列，本发明使得波长从近紫外到中红外（300nm‑20μm）段，在吸收带300‑435nm中实现了高达0.992的平均吸收率，并且吸收率从435nm波长处的0.965急剧下降到625nm波长处的0.152，在非吸收带625nm‑20μm波段内平均吸收仅为0.0067。其中消光比为8.02dB，消光差为0.81，截止斜率为0.0043nm‑1；截止纳米吸收器能够在纳米尺度上实现对特定波长光的高效吸收和截止，可用于在国防军工领域。
主权项：1.一种基于纳米立方结构的超表面截止吸收器，其特征在于，包括均匀生长在方形二氧化硅衬底上的铝方台，铝方台的顶面均匀生长有金方台，金方台的顶面生长有氟化镁方锥，氟化镁方锥的顶面生长有砷化镓方环，形成装配体，多个装配体组合形成交叉阵列。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 扬州大学 一种基于纳米立方结构的超表面截止吸收器
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