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申请/专利权人：深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种用于半导体器件的金银合金结构及其制备方法，属于半导体器件制备技术领域。所述金银合金结构的主体为金银合金凸块，在金银合金凸块的表面有多孔金层。在电镀制备金银合金凸块以后，使用同一电镀液或者使用刻蚀液进行反向电镀，刻蚀金银合金凸块表面的银，在金银合金凸块表面形成多孔金层，从而解决金银合金凸块中的银容易氧化或者硫化的技术问题，实现用金银合金替代纯金用于半导体器件。本发明不需要增加新的电镀设备或者化学镀设备，工艺简单、易于实现。
主权项：1.一种用于半导体器件的金银合金结构，所述金银合金结构的主体为金银合金凸块，在金银合金凸块的表面有多孔金层；所述多孔金层位于金银合金凸块的顶表面，或者所述多孔金层位于金银合金凸块的顶表面和侧面；所述金银合金凸块的高度为7~20μm，所述多孔金层的厚度为0.02~2.0μm。
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百度查询： 深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司 一种用于半导体器件的金银合金结构及其制备方法
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