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申请/专利权人：华中科技大学

摘要：本申请属于OLED器件的优化设计领域，具体公开了一种基于OLED器件光电耦合仿真模型的电极优化方法和系统。通过本申请，利用OLED器件的光电耦合仿真模型对器件电极功函数进行扫描，再根据仿真得到的优化目标变量的综合表现筛选最优的器件电极材料。通过将电学仿真结果的电流密度和电致激子分布输入光学模型，实现更科学准确的器件光电耦合仿真模拟。不需要耗时费力的膜层制备与实验，不仅分析优化了器件光学特性，还考虑了有机半导体电学参数对于仿真与优化的影响，仿真计算更准确，优化目标更全面，为OLED器件光电耦合的电极优化及后续的制备实验奠定了基础。

主权项：1.一种基于OLED器件光电耦合仿真模型的电极优化方法，其特征在于，包括：获取目标OLED器件的结构参数、工作环境和外置电压，构建以电极功函数为参数的OLED器件光电耦合仿真模型；确定目标OLED器件的电极功函数优化区间和光电性能优化目标变量；对于电极功函数优化区间中的每个功函数值，通过OLED器件光电耦合仿真模型，确定对应的每个优化目标变量的数值，进而拟合各优化目标变量关于功函数的变化函数；通过各优化目标关于功函数的变化函数和所期望优化目标变量值，确定目标OLED器件电极的最佳功函数；所述OLED器件光电耦合仿真模型具体如下： 其中，POLED为OLED器件出射光谱，Iinj为OLED器件电流密度，e为基本电荷量，γ为载流子平衡率，χ为激子复合率，qeff为有效辐射效率，Sλ为OLED器件发光层材料的PL光谱，λ为PL光谱波长，gz为激子密度随厚度变化的函数，z为垂直基底方向上的z位置坐标，Fout为单个偶极子辐射到OLED器件外部的Purcell系数，F为微腔结构中的Purcell系数；Iinj、χ、gz均由器件的特征温度Vt、电势ψ和膜层结构参数共同决定，其中，器件的特征温度Vt与器件工作温度T相关，电势ψ是以金属电极和有机半导体膜层的接触势垒ψs为边界条件，由外置电压、功函数、膜层结构参数共同决定的；OLED器件光电耦合仿真模型中剩下变量受膜层结构参数影响；所述目标OLED器件的电极功函数优化区间通过以下方式确定：将目标OLED器件的阳极选空穴传输层的LUMO能级作为第一区间边界，或者，将目标OLED器件的阴极选电子传输层的HOMO能级作为第二区间边界；确定目标OLED器件的电极功函数优化区间宽度，该宽度的取值范围为+1.5eV,+2.5eV；目标OLED器件的电极功函数优化区间确定为[第一区间边界，第一区间边界+优化区间宽度]或者[第二区间边界－优化区间宽度，第二区间边界]。

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权利要求：

百度查询： 华中科技大学 一种基于OLED器件光电耦合仿真模型的电极优化方法和系统