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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种集成电路的布局结构及其制作方法，其中，集成电路的布局结构包括：基底；沿第一方向依次排布的多个晶体管，相邻两个晶体管串联连接，每一晶体管包括位于基底上的栅极及位于栅极相对两侧的源极区及漏极区，且相串联的两个晶体管共用源极区或者漏极区；第一金属硅化物部，第一金属硅化物部位于边缘晶体管远离与边缘晶体管相邻的另一晶体管的一侧，且与边缘晶体管中非共源漏极区的源极区或漏极区连接；第二金属硅化物部，第二金属硅化物部位于基底内，且第二金属硅化物部在基底表面的正投影与栅极在基底表面的正投影间隔设置，第二金属硅化物部与共源漏极区连接。可以降低整个结构的电阻。
主权项：1.一种集成电路的布局结构，其特征在于，包括：基底；沿第一方向依次排布的多个晶体管，相邻两个所述晶体管串联连接，每一所述晶体管包括位于所述基底上的栅极及位于所述栅极相对两侧的源极区及漏极区，所述源极区及所述漏极区位于所述基底内，且相串联的两个所述晶体管共用所述源极区或者所述漏极区，其中，共用的所述源极区或者所述漏极区被定义为共源漏极区，处于首级的所述晶体管以及处于尾级的所述晶体管均被定义为边缘晶体管；第一金属硅化物部，所述第一金属硅化物部位于所述基底内，所述第一金属硅化物部位于所述边缘晶体管远离与所述边缘晶体管相邻的另一所述晶体管的一侧，且与所述边缘晶体管中非共源漏极区的源极区或漏极区连接；第二金属硅化物部，所述第二金属硅化物部位于所述基底内，且所述第二金属硅化物部在所述基底表面的正投影与所述栅极在所述基底表面的正投影间隔设置，所述第二金属硅化物部与所述共源漏极区连接。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 集成电路的布局结构及其制作方法
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