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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供存储器件及其制作方法，采用热处理工艺，使位于接触窗口上方的部分厚度的半浮栅材料层的材质由多晶硅转化为单晶硅；转化的区域定义为类凸体。本发明另辟蹊径，采用热处理方法形成类凸体，避免了常规刻蚀形成凸体工艺中，由于多晶硅层与衬底蚀刻选择比很小，很难控制刻蚀工艺精度，导致的半浮栅晶体管失效。本发明半浮栅材料层和漏区仅仅通过类凸体相连，漏电路径的面积仅为可精确控制的类凸体的物理宽度；类凸体中的内建势垒可以阻止半浮栅材料层和漏区之间在非工作状态的载流子扩散。从而，将大大减少半浮栅中存贮电荷的泄漏，提高了存储信息的稳定性。
主权项：1.一种存储器件的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，其包括存储单元区，所述存储单元区的所述衬底上表面一侧预设有共用源区、位于所述共用源区两侧的第一漏区和第二漏区；在所述存储单元区的所述衬底上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层中形成有暴露出所述衬底上表面的第一接触窗口和第二接触窗口，所述第一接触窗口位于所述共用源区和所述第一漏区之间，所述第二接触窗口位于所述共用源区和所述第二漏区之间；形成半浮栅材料层，所述半浮栅材料层覆盖所述第一接触窗口和所述第二接触窗口暴露出的所述衬底，还覆盖位于所述第一接触窗口和所述第二接触窗口之间的所述栅极绝缘层；所述半浮栅材料层的材质为多晶硅；执行热处理工艺，使位于所述第一接触窗口和所述第二接触窗口上方的部分厚度的所述半浮栅材料层的材质由所述多晶硅转化为单晶硅；转化的区域定义为类凸体，所述类凸体与所述衬底接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 存储器件及其制作方法
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