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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及其制作方法。半导体结构包括衬底、位线以及第一隔离层，衬底上设置有凹槽；位线的一端设置在衬底上，且位线的底部位于凹槽内；第一隔离层至少部分设置在位线的侧壁上，且第一隔离层与位线直接接触；其中，凹槽内均填充有第一隔离层。通过将位线的底部设置在凹槽内，且用于隔离位线的第一隔离层填充在凹槽内，并将凹槽填充满，即在位线的底部形成了可靠的绝缘结构，以此提高位线的稳定性。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上设置有凹槽；位线，所述位线的一端设置在所述衬底上，且所述位线的底部位于所述凹槽内；第一隔离层，所述第一隔离层至少部分设置在所述位线的侧壁上，且所述第一隔离层与所述位线直接接触；其中，所述凹槽内均填充有所述第一隔离层，所述第一隔离层包括：第一侧壁隔离段，所述第一侧壁隔离段设置在所述位线的侧壁上，且填充所述凹槽；第一水平隔离段，所述第一水平隔离段设置在所述衬底上，且位于所述凹槽的外侧；其中，所述半导体结构的制造方法包括：提供具有所述凹槽的所述衬底；在所述衬底上形成所述位线，使得所述位线的所述底部位于所述凹槽中；以第一绝缘材料填满所述凹槽，并覆盖所述衬底及所述位线的所述侧壁；横向蚀刻所述第一绝缘材料以形成所述第一隔离层。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制作方法
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