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申请/专利权人：联华电子股份有限公司
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一磁性隧穿结magnetictunnelingjunction,MTJ于一基底上以及一上电极于该MTJ上，然后形成一第一金属间介电层环绕该MTJ以及该上电极，形成一停止层于该第一金属间介电层上，形成一第二金属间介电层于该停止层上，进行一第一蚀刻制作工艺去除该第二金属间介电层以及该停止层，进行一第二蚀刻制作工艺去除部分该上电极，再形成一金属内连线连接该上电极。
主权项：1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：形成磁性隧穿结于基底上以及上电极于该磁性隧穿结上；形成第一间隙壁于该上电极的第一侧壁以及第二间隙壁于该上电极的第二侧壁，形成第一金属间介电层环绕该磁性隧穿结、该第一间隙壁、该第二间隙壁以及该上电极；形成停止层于该第一金属间介电层上；形成一第二金属间介电层于该停止层上；进行第一蚀刻制作工艺去除部分该第二金属间介电层、部分该停止层以及部分该第二间隙壁以形成接触洞，该接触洞暴露出该上电极的部分该第二侧壁，该接触洞的第三侧壁的最下端在预定位置接触该上电极的该第二侧壁；进行第二蚀刻制作工艺去除部分该上电极而使得该上电极具有经由该第二蚀刻制作工艺而形成的蚀刻后上表面，该蚀刻后上表面在该预定位置接触该接触洞的该第三侧壁，该上电极的该第二侧壁旁的上表面为该蚀刻后上表面，该上电极的该蚀刻后上表面包含曲面；以及形成金属内连线连接该上电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法
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