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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：半导体器件包括形成在衬底中的阱上方的晶体管和存储器拾取单元。晶体管包括具有第一宽度的第一鳍和在第一鳍上的两个第一源极漏极部件。拾取单元包括具有第二宽度的第二鳍和在第二鳍上的两个第二源极漏极部件。阱、第一鳍、第二鳍和第二源极漏极部件具有第一导电类型。第一源极漏极部件具有与第一导电类型相反的第二导电类型。第二宽度是第一宽度的至少三倍。拾取单元还包括在第二鳍上方并且连接两个第二源极漏极部件的半导体层堆叠。本发明的实施例还涉及集成电路布局。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底，具有第一导电类型的第一阱；第一晶体管，包括：第一鳍，从所述第一阱延伸并具有第一宽度，其中，所述第一鳍为所述第一导电类型；和两个第一源极漏极部件，位于单个的所述第一鳍上，其中，所述两个第一源极漏极部件为与所述第一导电类型相反的第二导电类型；以及存储器拾取单元，包括：第二鳍，从所述第一阱延伸并具有第二宽度，所述第二宽度是所述第一宽度的至少三倍；两个第二源极漏极部件，位于单个的所述第二鳍上，其中，所述第二鳍和所述两个第二源极漏极部件为所述第一导电类型，所述两个第二源极漏极部件中的每个的宽度大于所述两个第一源极漏极部件中的每个的宽度；和半导体层堆叠，位于所述第二鳍上方并连接所述两个第二源极漏极部件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件以及集成电路布局
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