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一种碲镉汞红外探测器芯片的制备方法 

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申请/专利权人:浙江珏芯微电子有限公司

摘要:本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片的制备方法,包括步骤:提供衬底,其包括光电材料层;在光电材料层上依次形成钝化层和介质层;刻蚀所述介质层形成第一通孔,暴露出所述钝化层;刻蚀所述第一通孔中的钝化层形成第二通孔,暴露出所述光电材料层;在所述衬底的光电材料层一侧形成金属层,覆盖所述介质层、第一通孔内的钝化层及第二通孔内的光电材料层;刻蚀所述金属层形成图像化的金属电极;去除所述介质层,形成所述碲镉汞红外探测器芯片。本公开提供的红外探测芯片的制备方法,可以有效避免光刻胶膜在金属表面残留以及溶液跟金属发生反应,在后面的制备过程中也降低了钝化层漏电的风险,可以大大提升金属层的导电性效果。

主权项:1.一种碲镉汞红外探测器芯片的制备方法,其特征在于,包括步骤:提供衬底,其包括光电材料层;在光电材料层上依次形成钝化层和介质层;刻蚀所述介质层形成第一通孔,暴露出所述钝化层;刻蚀所述第一通孔中的钝化层形成第二通孔,暴露出所述光电材料层;在所述衬底的光电材料层一侧形成金属层,覆盖所述介质层、第一通孔内的钝化层及第二通孔内的光电材料层;刻蚀所述金属层形成图像化的金属电极;去除所述介质层,形成所述碲镉汞红外探测器芯片。

全文数据:

权利要求:

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