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申请/专利权人：三菱电机株式会社

摘要：在半导体特性测定装置101中，第一电位差测量装置102测量与功率半导体元件2的第一以及第二主电极分别连接的2个连接端子4、6之间的第一电位差VCE。第二电位差测量装置103测量在向第二主电极的或者从第二主电极的主电流的电流路径的不同的位置连接的2个连接端子6、7之间的第二电位差VEE。存储装置104存储第一电位差、元件温度以及主电流之间的第一关系和第二电位差、元件温度以及主电流之间的第二关系。处理装置105在根据第一关系确定的、与第一电位差的测量值对应的元件温度的值以及主电流的值和根据第二关系确定的、与第二电位差的测量值对应的元件温度的值以及主电流的值一致的情况下，将一致的元件温度的值以及一致的主电流的值作为当前时间点的推测值输出。

主权项：1.一种半导体特性测定装置，用于推测半导体器件的温度以及在所述半导体器件中流过的主电流，其中，所述半导体器件包括：功率半导体元件，具有第一主电极、第二主电极以及用于控制在所述第一主电极与所述第二主电极之间流过的所述主电流的控制电极；以及多个连接端子，所述多个连接端子的各个连接端子与所述第一主电极、所述第二主电极以及所述控制电极中的任意一个连接，所述半导体特性测定装置具备：第一电位差测量装置，测量基于所述多个连接端子中的与所述第一主电极以及所述第二主电极分别连接的2个连接端子之间的电位差的第一电位差；第二电位差测量装置，测量所述多个连接端子中的、与向所述第二主电极的或者从所述第二主电极的所述主电流的电流路径连接的第一连接端子和与所述第二主电极连接或者在比所述第一连接端子接近所述第二主电极的位置与所述电流路径连接的第二连接端子之间的第二电位差；存储装置，存储表示所述第一电位差、所述功率半导体元件的温度以及所述主电流之间的第一关系的数据和表示所述第二电位差、所述功率半导体元件的温度以及所述主电流之间的第二关系的数据；以及处理装置，所述处理装置：从所述第一电位差测量装置取得所述第一电位差的测量值，从所述第二电位差测量装置取得所述第二电位差的测量值，根据表示所述第一关系的数据，确定与所述第一电位差的测量值对应的所述功率半导体元件的温度的值以及所述主电流的值，根据表示所述第二关系的数据，确定与所述第二电位差的测量值对应的所述功率半导体元件的温度的值以及所述主电流的值，在根据所述第一电位差的测量值确定的所述功率半导体元件的温度的值以及所述主电流的值和根据所述第二电位差的测量值确定的所述功率半导体元件的温度的值以及所述主电流的值相互一致的情况下，将一致的所述温度的值以及一致的所述主电流的值作为当前时间点的推测值输出。

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百度查询： 三菱电机株式会社 半导体特性测定装置、半导体特性测定方法以及程序