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申请/专利权人：朗姆研究公司
摘要：一种用于执行衬底的特征的间隙填充的方法，其包括：a在处理室中的衬底支撑件上设置衬底；b执行原子层沉积ALD以在所述衬底的特征中沉积膜；c供应抑制剂等离子体气体至所述处理室并且在所述处理室中点燃等离子体，以相比于所述特征的下部，抑制在所述特征的上部中的沉积作用；d将b重复进行N次，其中N是大于一的整数，并且在N次中的M次期间重复进行c，其中M为大于零且小于或等于N的整数；e供应蚀刻气体至所述处理室，以蚀刻所述衬底的所述特征中的所述膜；以及f将b至d重复进行一或多次，以间隙填充所述衬底的所述特征。
主权项：1.一种用于执行衬底的特征的间隙填充的方法，其包括：a在处理室中的衬底支撑件上设置包括特征的衬底；b执行N次原子层沉积ALD以在所述处理室中的所述衬底的所述特征中沉积膜，其中N是大于1的整数；c在执行bN次中的M次之后，其中M是大于零且小于或等于N的整数，供应抑制剂等离子体气体至所述处理室并且在所述处理室中点燃等离子体以在所述特征的上部形成比所述特征下部更多的钝化表面，以相比于所述特征的所述下部，抑制在所述特征的所述上部中的所述原子层沉积作用；d在c之后，供应蚀刻气体至所述处理室，以在所述衬底的所述特征的所述上部比在所述衬底的所述特征的所述下部更多地蚀刻所述膜；以及e将b至d重复进行一或多次以间隙填充所述特征而不存在孔隙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗姆研究公司 使用原子层沉积(ALD)、抑制剂等离子体和蚀刻的电介质间隙填充
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