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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明公开了一种多断口真空断路器路间横向磁场屏蔽结构及优化方法，屏蔽结构包括多个对称设置在灭弧室周围且用于屏蔽邻路产生的横向磁场的屏蔽单元；每个屏蔽单元包括：一块设置在灭弧室外侧的弧状铁芯，以及两块分别设置在灭弧室左侧和右侧的块状铁芯；弧状铁芯与块状铁芯不直接相连；弧状铁芯用于提高电弧截面直径方向磁场的对称性；块状铁芯用于提高电弧截面沿圆弧方向磁场的均匀性。与现有的磁屏蔽结构相比，本发明提供的铁芯独立可以灵活调整且不易饱和，同时可以结合智能算法进行尺寸寻优，从而获得最优的磁场屏蔽效果。
主权项：1.一种多断口真空断路器路间横向磁场屏蔽结构，包括多个对称设置在灭弧室周围且用于屏蔽邻路产生的横向磁场的屏蔽单元；其特征在于，每个屏蔽单元包括：一块设置在灭弧室外侧的弧状铁芯（51），以及两块分别设置在所述灭弧室左侧和右侧的块状铁芯（53）；所述弧状铁芯（51）与所述块状铁芯（53）不直接相连；所述弧状铁芯（51）用于提高电弧截面直径方向磁场的对称性；所述块状铁芯（53）用于提高电弧截面沿圆弧方向磁场的均匀性；优化的磁场屏蔽结构是通过针对多断口真空断路器建立有限元仿真模型，根据所述有限元仿真模型建立磁场屏蔽优化效果的表征模型，并采用BP神经网络分别对优化目标一和优化目标二进行回归拟合获得屏蔽结构参数和两个优化目标的函数关系，将神经网络BP1、BP2嵌入NSGA-Ⅱ优化算法中，并当所述优化目标一的权重和所述优化目标二的权重相等时选取最优解得到；所述优化目标一为电弧截面直径方向磁场的不对称度；所述优化目标二为电弧界面沿圆弧方向磁场的不均匀度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种多断口真空断路器路间横向磁场屏蔽结构及优化方法
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