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申请/专利权人：合肥师范学院
摘要：本发明公开了一种具有抗单粒子瞬态效应能力的双输出节点的反相器链，属于集成电路技术领域，包括依次连接的多级反相器，各级反相器的结构相同；所述反相器包括两个PMOS管Px0、Px1以及四个NMOS管Nx0、Nx1、Nx2、Nx3，其中，x表示在所述反相器链中的第x级。本发明利用两个PMOS和四个NMOS构成每一级反相器基本单元，每一级反相器有两个输出节点，如果某一级反相器中的一个输出节点受到单个粒子轰击，其节点电压出现了瞬时脉冲，但是这一级反相器中的另一个输出节点能够维持正确的电压，因此，在本发明所提出的反相器链电路结构中，由粒子轰击所产生的瞬时脉冲将会被消除，而不会传播到最终输出。
主权项：1.一种具有抗单粒子瞬态效应能力的双输出节点的反相器链，其特征在于，包括依次连接的多级反相器，各级反相器的结构相同；所述反相器包括两个PMOS管Px0、Px1以及四个NMOS管Nx0、Nx1、Nx2、Nx3，其中，x表示在所述反相器链中的第x级；所述PMOS管Px0的源端与VDD端连接，NMOS管Nx0、NMOS管Nx1、NMOS管Nx3的源端均与VSS端连接；PMOS管Px0的漏端与Px1的源端、NMOS管Nx0的漏端以及NMOS管Nx2的栅端连接，该节点记为本级反相器的第一输出节点；PMOS管Px1的漏端与NMOS管Nx1的漏端、NMOS管Nx2的源端连接，NMOS管Nx2的漏端与NMOS管Nx3的漏端连接，该节点记为本级反相器的第二输出节点；第一级反相器中的PMOS管P10、PMOS管P11的栅端以及NMOS管N10、NMOS管N11、NMOS管N13的栅端都连接输入信号，产生两个输出节点，即第一级反相器的第一输出节点和第二输出节点；后一级反相器中的PMOS管Px0、PMOS管Px1的栅端连接到前一级反相器的第一输出节点，后一级反相器中的NMOS管Nx0、NMOS管Nx1、NMOS管Nx3的栅端连接到前一级反相器的第二输出节点；最后一级反相器的第一输出节点为最终输出节点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥师范学院 一种具有抗单粒子瞬态效应能力的双输出节点的反相器链
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