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摘要:本申请公开一种钝化膜制备方法及半导体器件,其中钝化膜制备方法包括:以第一沉积气体在衬底上沉积第一膜层,所述第一沉积气体包括SiH4和N2,所述第一膜层为无氨氮化硅;以第二沉积气体在所述第一膜层上沉积第二膜层,所述第二沉积气体包括SiH4、N2和NH3,所述第二膜层为有氨氮化硅。本申请能够形成高质量钝化膜,避免造成半导体器件漏电,提高半导体器件的漏电良率。
主权项:1.一种钝化膜制备方法,其特征在于,包括如下步骤:以第一沉积气体在衬底上沉积第一膜层,所述第一沉积气体包括SiH4和N2,所述第一膜层为无氨氮化硅;以第二沉积气体在所述第一膜层上沉积第二膜层,所述第二沉积气体包括SiH4、N2和NH3,所述第二膜层为有氨氮化硅。
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百度查询: 北京北方华创微电子装备有限公司 钝化膜制备方法及半导体器件
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